特朗普气到跳脚! 荷"兰巨头接"连公：布，三大巨头, 外媒: ：除了中国别无选择

哈工大一支平均年龄31岁的年轻团队，凭借创新精神，成功研发出了“放电等离子体极紫外光刻光源”。

这项技术的出现，不仅让国内的光刻技术取得了突破，更是填补了我们国家在这一领域的技术空白，绕过了长期以来困扰我们的全球领先企业，ASML的技术壁垒。

芯片是现代科技的核心，几乎所有的电子产品都离不开它。要生产更先进的芯片，就需要用到一种叫做EUV光刻技术。这项技术能让芯片更小、更强大，同时还降低成本。哈工大的这项技术突破，正是解决了这一光源的“瓶颈”。它通过“放电等离子体”的方式，成功研发出可以提供中心波长为13.5纳米的极紫外光。哈工大的技术有什么特别之处呢？它基于“放电等离子体”的原理，这让它在效率和成本上都拥有巨大的优势。相比于传统技术，这种技术不仅能大幅提高能量转换效率，还能减少生产成本。最重要的是，它体积小、结构简单，成为未来芯片制造的一大杀手锏。EUV光刻机在全球市场上可不是便宜货，它的高昂价格，限制了很多企业特别是国内企业的参与。而哈工大技术的突破，很可能会让这一局面得到改变，EUV光刻机的成本有望大幅降低。更重要的是，哈工大的技术有望在5纳米及以下的芯片生产中，降低成本约30%。这对于想要在全球市场上与台积电、三星等巨头竞争的国内企业来说，是一个巨大的机会。

说到台积电，它可是全球最大的芯片代工厂，尤其在5纳米芯片的生产上，掌握着近乎垄断的市场份额。根据目前的预测，未来3到5年，台积电在5纳米及以下芯片市场的占有率可能会降到50%以下。对于华为、长江存储等国内科技企业来说，哈工大的技术突破无疑是一个令人振奋的消息。曾几何时，这些企业因缺乏EUV光刻机技术而面临巨大的发展瓶颈，尤其在3纳米甚至更先进芯片的研发上，受到了一定的限制。哈工大的技术突破为这些企业提供了新的希望。华为等企业可以在不依赖进口设备的情况下，开发更先进的芯片产品，提升技术实力，减少对外部技术的依赖。虽然哈工大的技术突破让我们看到了希望，但要知道，光源技术只是EUV光刻机研发的“第一块拼图”。要想真正实现自主研发的EUV光刻机，还需要解决很多其他核心问题。比如，光刻机的微缩投影光学系统、双工件台技术等，都是技术的关键环节。虽然我们国家在这些领域也取得了一定的进展，但距离完全自主生产出高性能的EUV光刻机，还有一定距离。这条路还很长，挑战重重。不过，凭借着哈工大的这项技术突破，国内企业的研发势头将更加强劲，我们有理由相信，未来在全球芯片市场中，我们将能够占有一席之地。

（内容来源：生活报）